強誘電体RAM（FeRAMの、FRAMまたはFRAM）はDRAMと同様の構成でランダムアクセスメモリであるが、強誘電体層の代わりに不揮発性を達成するために誘電体層を利用します。 FeRAMはフラッシュメモリと同じ機能を提供することができる代替の非揮発性ランダム・アクセス・メモリ技術の成長数の一つです。
FeRAMは小型コンデンサおよび関連配線とsignlingトランジスタのグリッドから成ります。各記憶素子、セルは、1つのキャパシタと1個のトランジスタで構成されています。 DRAMは、そのセルキャパシタに線形誘電体を使用するとは異なり、FeRAMセルキャパシタにおける誘電体構造は、通常、強誘電体材料、典型的にはチタン酸ジルコン酸鉛（PZT）を含みます。
強誘電体材料は、印加電場と明らか蓄積された電荷との間の非線形な関係を有しています。強誘電特性は、強磁性体のヒステリシスループの形状が非常に類似しているヒステリシスループの形状を有しています。強誘電体の誘電率は、典型的にので、強誘電体材料の結晶構造に形成された半永久的電気双極子の効果の線形誘電体のそれよりもはるかに高いです。外部電界が誘電体に印加されるとき、双極子は、結晶構造における電荷の分布の原子とシフト位置の小さなシフトによって生成される磁界方向と自分自身を整列させる傾向があります。電荷が除去された後、双極子は、その偏光状態を保持します。バイナリ＆＃34; 0＆＃34; sおよび＆＃34; 1＆＃34; sは、各データ保存セル内の2枚の可能な電気偏光の一つとして記憶されています。例えば、図A＆＃34; 1＆＃34; -Pr＆＃34 ;,及び＆＃34;負の残留分極＆＃34を使用して符号化される0＆＃34;正の残留分極＆＃34を使用して符号化される; + PR＆＃34;操作の.IN用語、FeRAMはDRAMと同様です。書き込みは、＆＃34に内部原子を強制的に、それのいずれかの側にプレートを充電することによって、強誘電体層を横切って電界を印加することによって達成される、アップ＆＃34;または＆＃34;ダウン＆＃34;配向それによって格納、（電荷の極性に依存して）＆＃34; 1＆＃34;または＆＃34; 0＆＃34 ;.読書は、しかし、DRAMに比べてやや異なっています。トランジスタは言い、特定の状態にセルを強制的に＆＃34; 0＆＃34 ;.セルがすでに開催された場合は＆＃34; 0＆＃34 ;,何も出力ラインに起こりません。細胞は、＆＃34を保持していた場合、ダウン＆＃1＆＃34彼らは＆＃34の上に金属から電子を押し出すよう;,膜中の原子の再配向は、出力の電流の短いパルスが発生します34;側。このパルスの存在は、細胞が＆＃34保持手段と、1＆＃34 ;.このプロセスは、細胞を上書きするので、強誘電体メモリの読み取りは破壊的なプロセスであり、それが変更された場合、再書き込まれるべきセルを必要とします。
さまざまな種類の強誘電性RAM、下流の消費分野、および世界中のさまざまな地域や国の競争環境のほとんどのセグメント化された消費および販売データを提供することを目的として、このレポートは一次および二次の信頼できるソースからの最新の市場データを分析します。
強誘電性RAMの市場は、今後8年間で約X.X％のCAGRで成長すると推定されており、2022年のX.X百万米ドルから、2027年にはX.X百万米ドルに達するでしょう。
レポートはまた、推進要因、抑制要因などの最新の市場のダイナミクス、および合併、買収、投資などの業界ニュースを追跡します。市場規模（価値と量）、市場シェア、種類別の成長率、アプリケーションを提供し、定性的手法と定量的手法の両方を組み合わせて、さまざまな地域または国でミクロおよびマクロの予測を行います。
レポートは、市場を理解し、それに応じて事業拡大のための戦略を立てるのに役立ちます。戦略分析では、マーケティングチャネルと市場のポジショニングから潜在的な成長戦略までの洞察を提供し、強誘電性RAM業界の新規参入者または既存の競合他社に詳細な分析を提供します。
メーカー別の市場細分化では、レポートは次の企業をカバーしています-
Cypress Semiconductor
Fujitsu
Texas Instruments
IBM
Infineon
タイプによる市場細分化：
シリアルメモリ
並列メモリ
他人
アプリケーションによる市場細分化：
スマートメーター
自動車エレクトロニクス
医療機器
ウェアラブルデバイス
レポートにおける国レベルのセグメンテーション：
アメリカ
日本
インド
ドイツ
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フランス
イタリア
スペイン
ポーランド
ロシア
中国
インドネシア
タイ
フィリピン
マレーシア
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ベトナム
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アラブ首長国連邦
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